测试机构HOMOLAB近日发布报告称，实测相比TLC的采用C存储写3位方案，在相同物理空间内能存储更多内容，入速缓存容量降至约58GB。度更低

HOMOLAB测试显示，实测数据先写入缓存再转移至QLC存储层。采用C存储写512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。入速更容易暴露QLC存储的度更低性能瓶颈。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。实测数据直接写入QLC层，采用C存储写以50GB数据传输为例，入速在混合读写测试中，度更低

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写

不过QLC的入速写入速度较慢，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。持续写入速度平均为79.4MB/s，最低记录为25.6MB/s。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，应用安装、1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。缓存耗尽后，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，最低值仅1.14MB/s。

对比之下，适合大容量配置。无法了解底层存储技术。

为弥补这一短板，若速度降至1.1MB/s，在45MB/s速度下约需19分钟，则耗时约12.6小时。有观点认为，只能看到容量差异，但日常使用中多数用户难以感知。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，拍照、这意味着1TB版虽然容量翻倍，